2GHz100W硅脉冲功率晶体管

• 作 者: 傅义珠 张树丹 等
• 机 构: 南京电子器件研究所
• 出 处: 世界产品与技术
• 发表日期: 2002年2期
• 关键词: 2GHz100W 硅脉冲功率晶体管 可靠性设计

本文叙述了硅脉冲功率晶体管的设计制造，采用了动态镇流、钳位二极管、内匹配等技术。器件在f。=1.85～2.15GHz，D=2%，τp=40us条件下，输出功率P。≥100W，功率增益Gp≥ 7dB，集电极效率ηc≥40%，并具有较高的抗激励耐量。在f。=2.15GHz，τp=40us，D=2%，Pi=25W，Vcc=36V时，P。≥120W；当Vcc=40V时P。≥153W。