先天性结核病早期误诊原因分析

来源 :中国厂矿医学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:sbt200905
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
先天性结核病早期误诊原因分析中国铁道建筑总公司西安医院(710016)张竹映第四军医大学西京医院杨麦贵,姜静雯先天性结核病是胎儿在母体内所受结核杆菌感染之结核病,较为罕见,死亡率高。由于在生后几天或几周之内患儿表现为呼吸困难,发热,肝脾肿大,食,嗜睡... Analysis of causes of early misdiagnosis of congenital tuberculosis China Railway Construction Corporation Xi’an Hospital (710016) Zhang Zhuying Xijing Hospital of the Fourth Military Medical University Yangmei Gui, Jing-Wen Wen Congenital tuberculosis is a tuberculosis in the mother’s body suffered from Mycobacterium tuberculosis infection, relatively rare and high mortality. Due to a few days or weeks after birth in children with dyspnea, fever, hepatosplenomegaly, food, drowsiness ...
其他文献
在57例小儿气管异物取出术中,采取氯胺酮,γ-羟基丁酸钠联合静脉全麻,咽喉气管表麻,维持麻醉深度,避免过深过浅,术中密切监护等麻醉处理,能提高手术麻醉的安全性。 In 57 cases of chi
本文对47例新生儿缺氧缺血性脑病(以下简称HIE)的预后进行了探讨。对存活者年龄在12~36月的幼儿32例进行了随访。应用首儿所0~4岁小儿精神发育量表进行了发育商(DQ)测查。结果表明:
Silicon carbide (SiC) semiconductor devices for high power applications are now commercially available as discrete devices. Recently Schottky diodes are offered
我科在1991年9月至12月,对唐山市路北区6所小学3810名学生进行了热性惊厥调查。依据本病诊断标准,查出有热性惊厥史患儿102名,按照配对研究方法,除外影响智能发育的因素,选出对照组,采用WISC-CR方法,由专业
为了描述生长在弛豫Si1-xGex层上应变Sin型金属氧化物半导体场效应晶体管(nMOSFETs)反型层中电子迁移率的增强机理,提出了一种新型的、基于物理的电子迁移率模型.该模型不仅
在首届中国石油天然气总公司炼化科技会议的讲话候祥麟编者按1996年11月,在广西北海召开了中国石油天然气总公司首届炼化科技工作会。会议围绕实现两个根本性转变,贯彻中国石油天然气
最近我们对江苏省邳州市脊髓灰质炎(简称儿麻)患儿中第1批穿戴下肢矫形支具的患儿进行了调查,了解这些患儿使用矫形支具后功能恢复情况及在使用支具过程中存在的问题,并提出
介绍俄罗斯生产的一种新型钻机,其泥浆处理系统可对污染钻屑进行稳定/固化处理。经过处理的钻屑不会对环境造成损害。 Introducing a new type of rig produced in Russia w
Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料GaAs,由于其本征载流子浓度比Si约低104,电子迁移率约是Si的5倍,电阻率高达108Ωcm,有利于降低寄生电容,减少漏电流;另外,GaAs材料便于加工,可方便地
对昆明地区7天内健康新生儿脐血及末梢血的红细胞参数进行检则,探讨了影响测值的有关因素. The detection of erythrocyte parameters in cord blood and peripheral blood of