热性惊厥对小儿智能发育的远期影响

来源 :中国优生与遗传杂志 | 被引量 : 0次 | 上传用户:tianshanfeiren
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
我科在1991年9月至12月,对唐山市路北区6所小学3810名学生进行了热性惊厥调查。依据本病诊断标准,查出有热性惊厥史患儿102名,按照配对研究方法,除外影响智能发育的因素,选出对照组,采用WISC-CR方法,由专业人员进行检查,数据应用微机采用SAS软件处理。结果表明:热性惊厥患儿与正常儿童在智能发育上无明显差别,提出了热性惊厥不是引起儿童智能低下的直接原因。 Our department conducted a febrile convulsion survey in 3810 students from 6 primary schools in Lubei District of Tangshan from September to December 1991. According to the diagnostic criteria of this disease, there were 102 children with a history of febrile seizures. According to the paired study methods except the factors that affected the mental development, the control group was selected and the WISC-CR method was used to check the data. Using SAS software processing. The results showed that there was no significant difference in the mental development between children with febrile seizures and normal children, and the direct reason why febrile seizures were not caused by mental retardation was proposed.
其他文献
[目的]研究小桐子幼苗在空气干旱胁迫下的水分状况变化与渗透调节物质响应差异,以更好地理解其抗旱性机制。[方法]以培养12d的小桐子幼苗为材料,在25℃/20℃(昼/夜)、16h光照
Introduction The herbal plant Acanthopanax Senticosus Harms[1,2] is natural herb of Changbaishan in Jilin Province of China, which belongs to the Araliaceae fam
目的 :检测卵巢上皮性肿瘤患者血清血管内皮生长因子 (VEGF)的水平变化并探讨其临床意义。方法 :应用双抗体夹心酶联免疫吸附法 (ELISA)分别检测正常健康妇女 (正常组 ,2 5例
结合乙02#罐的设备结构、生产动态等对密封胶带引燃原因进行了分析,提出了防止油罐因铁的氧化物、硫化物引起自燃的有效措施。 Based on the equipment structure and productio
目的观察和分析高血压患者中幽门螺杆菌(Hp)感染引起胃蛋白酶原(PG)改变及其临床意义。方法选取60例高血压患者作为研究对象,根据其是否为Hp感染将其分为Hp感染组(32例)和非H
本文叙述了用孤岛原油、胜利原油、稠油(1∶1∶1)混合蒸馏后的减压渣油经减粘裂化-添加活化剂油浆-减压蒸馏生产100号甲道路沥青的技术方案。沥青收率(占减渣的73.8%),轻油及蜡油收率22.66%,干气收率2.54%,沥
应用美国Ultramark-9型彩色多普勒超声诊断仪,于1995年8月~1996年7月,对新生儿窒息非生命器官(肾、肝、脾、胃、大肠、小肠)血流动力学变化进行了有对照组的前瞻性研究.结果证实新
在57例小儿气管异物取出术中,采取氯胺酮,γ-羟基丁酸钠联合静脉全麻,咽喉气管表麻,维持麻醉深度,避免过深过浅,术中密切监护等麻醉处理,能提高手术麻醉的安全性。 In 57 cases of chi
本文对47例新生儿缺氧缺血性脑病(以下简称HIE)的预后进行了探讨。对存活者年龄在12~36月的幼儿32例进行了随访。应用首儿所0~4岁小儿精神发育量表进行了发育商(DQ)测查。结果表明:
Silicon carbide (SiC) semiconductor devices for high power applications are now commercially available as discrete devices. Recently Schottky diodes are offered