日本开发成功巨磁阻新材料

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日本的原子技术研究所的田中一宜设计师和东京大学的尾 正治教授协作共同研究开发了一种新型超巨磁阻材料———锰锑镓砷薄膜层合的不均匀构造材料。它在室温条件下使用永磁体级的磁场即可由良导体转变为绝缘体 ,在室温下显示出超过 10 0 0 0 %的超巨磁阻效应。估计这一新材料 Japan’s Institute of Atomic Technology designer Yoshio Tanaka and the University of Tokyo Professor Ozaki collaborative research and development of a new giant magnetoresistive material - manganese antimony gallium arsenide film laminated heterogeneous materials. It transforms from a good conductor to an insulator using a permanent magnet grade magnetic field at room temperature and exhibits a super giant magnetoresistive effect of more than 100% at room temperature. Estimate this new material
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