【摘 要】
：
测量夹心结构α-Si∶H膜的瞬态响应谱时,发现无论是在低的正向偏压还是在低的反向偏压下,起始部分都出现不正常的尖形脉冲,它的幅度随光波长的增长而减小。零场瞬态谱的研究
【机 构】
：
中国科学院电子学研究所,中国科学院电子学研究所
论文部分内容阅读
测量夹心结构α-Si∶H膜的瞬态响应谱时,发现无论是在低的正向偏压还是在低的反向偏压下,起始部分都出现不正常的尖形脉冲,它的幅度随光波长的增长而减小。零场瞬态谱的研究表明,这种不正常的非传输部分来源于结区,它的升降特点决定于光照时的空间电荷限制光电流。从光电流幅值与光吸收系数的关系式,我们发展了一种确定光学隙的方法。
When measuring the transient response spectrum of the α-Si: H film of the sandwich structure, it was found that an abnormal spike pulse appeared in the initial part both at a low forward bias voltage and a low reverse bias voltage. The amplitude decreases as the wavelength of light increases. The research of zero-field transient spectrum shows that this abnormal non-transmission part originates from the junction region, and its rising and falling characteristics depend on the space charge-limited photocurrent during illumination. From the relationship between the photocurrent amplitude and the light absorption coefficient, we developed a method to determine the optical gap.
其他文献
目的考察口炎清及其组分对肠道部分优势菌群和条件致病菌以及口腔血链球菌和变链球菌生长的影响。方法以选择性培养基培养为基础的活菌计数法。结果 5%和10%的口炎清及其组分
2005年9月26日,南水北调中线标志性和关键性控制工程丹江口大坝加高工程在湖北省丹江口市动工。按湖北省政府要求,
September 26, 2005, South-to-North Water Diversion Pr
4—3 氧化物涂层的电阻 碱土金属氧化物是一种宽禁带的半导体。其内由于带间跃迁出现的电流载流子浓度较低。实际上,全部导电电子都是由施主中心（杂质.晶格缺陷）电离产生的。
本文研究了 LPE GaAs 生长条件对外延层补偿度的影响。根据实验结果,指出衬底表面受热缺砷是形成 Si_(As)受主的原因。
This paper studies the influence of LPE GaAs grow
N.Yellin等采用闭管汽相输运技术获得了组份高度均匀,电阻率高和杂质密度低的晶体。但仍然存在着生长速率慢的弱点,生长的晶粒通常仅有250mm~3,Akutag和Zanio修改了piper-po
针对现行玉米覆膜播种机因采用平直型种植垄面播种玉米造成幼苗的灼烧 ,及利用圆柱型垂直窝眼式圆盘排种器使种子破碎率高的问题 ,运用分析、试验的方法 ,提出玉米覆膜播种中
清华大学著名教授何炜先生,因病医治无效,于2008年10月2日0时55分逝世,享年75岁。2008年10月8日清华大学副校长陈旭教授以及清华大学有关领导、学术界著名院士、生前好友、清
新疆自颁布双语教育政策以来,维吾尔族儿童的双语学习问题与认知发展的关系就成为了教育工作者迫在眉睫的课题。本文在简要介绍了双语的概念界定的基础上,着重阐述新疆维吾尔
慢步,让人在缓慢的节奏中感受美妙的音符;慢步,让人在混沌的思绪中深刻反省;慢步,让人在嘈杂的环境中屏息静气……养生之道在乎调整生活节奏。慢生活,并不是脱离城市轨迹,而
一、问题的由来脉冲吞除是在研制单环数字式频率合成器的高速程序分频时提出来的.单环数字式频率合成器的方框图如图1所示.它的主要特点是在锁相环路中插入一个分频比可变的