【摘 要】
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提出一种称之为“阵列误差光刻”的方法。采用两次接触光刻和两次金属剥离工艺,形成两组顶端相对的电极阵列,利用第二次接触光刻时的对准误差,在这两组电极之间按照概率分布
【机 构】
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厦门大学萨本栋微米纳米科学技术研究院,
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提出一种称之为“阵列误差光刻”的方法。采用两次接触光刻和两次金属剥离工艺,形成两组顶端相对的电极阵列,利用第二次接触光刻时的对准误差,在这两组电极之间按照概率分布形成了一个最小的纳米间隙。设计并制作了一种含有16对电极的验证器件,按照光刻对准误差的范围为±2.0μm进行估算,理论上最小间隙的分布范围为0～150 nm。通过扫描电镜测量实际制造的样品,获得了大量50 nm以下的电极对,最小间隙为16.6 nm,并且制备的电极层厚度可以达到200 nm,使串联电阻较小。这种纳米间隙电极的制备方法简单有效。
Proposed a method called “array error lithography”. Two contact lithography and two metal lift-off processes were used to form two top-opposed electrode arrays. Using the alignment error during the second contact lithography, a minimum of Nano gap. A verification device with 16 pairs of electrodes was designed and fabricated to estimate the misalignment range of photolithography to ± 2.0 μm. Theoretically, the minimum gap is in the range of 0-150 nm. A large number of electrode pairs below 50 nm were obtained by scanning electron microscopy. The minimum gap was 16.6 nm and the thickness of the prepared electrode layer could reach 200 nm, which made the series resistance smaller. The preparation method of nano-gap electrode is simple and effective.
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