【摘 要】
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碳化硅（SiC）单晶多采用物理气相传输（PVT）法及籽晶顶置工艺生长,典型的生长界面包括略凹、近平微凸、略凸三种生长界面,在100 mm（4英寸）掺钒（V）半绝缘4H-SiC单晶生长过程中,需要研究
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碳化硅（SiC）单晶多采用物理气相传输（PVT）法及籽晶顶置工艺生长,典型的生长界面包括略凹、近平微凸、略凸三种生长界面,在100 mm（4英寸）掺钒（V）半绝缘4H-SiC单晶生长过程中,需要研究不同生长界面对SiC单晶电阻率的影响,得到合适的生长界面。在近似的生长条件下,采用略凹、近平微凸、略凸三种生长界面生长出100 mm掺V半绝缘4H-SiC单晶,加工后进行了电阻率测试、应力等测试,结果表明近平微凸生长界面易于调整掺杂浓度,晶体缺陷少,适合生长电阻率均匀的掺V半绝缘4H-Si C单晶,且晶体出片率
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