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介绍了干氧和氢氧合成两种不同栅氧化方式下制作的N沟输入CMOS运算放大器电路的电离辐射响应特征，并通过对电路内部单管特性损伤分析的比较，探讨了引起两者辐照敏感性差异的原因，结果显示，氢氧合成工艺比干氧工艺损伤明显的原因，是因为H的引入产生了更多的界面态，从而使其单管的跨导明显下降所致，这表明，抑制辐照感生氧化物电荷在尤其是界面态的增长，对提高电路的抗辐射特性至关重要。