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介绍了几种加固和非加固MOS电路的质子辐照总剂量效应实验，质子束的能量为9、7、5、2MeV。实验结果表明，在相同的吸收剂量下，MOS器件累积电离辐射损伤与质子能量成正比，还给出了栅极偏压对器件质子辐射损伤的影响，结果认为，对于NMOSFET，不论是加固器件，辐射感生界面态的密度也较高；而加固型PMOSFET，在0V的栅压下，辐射损伤比－5V下严重，且界面态的密度高。