【摘 要】
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日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,引入两款在尺寸和导通电阻上设立了新的行业基准的P沟道30 V器件——Si8497DB和Si8487DB,扩充其MI-CRO FOOT TrenchFET GenⅢ功率MOSF
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日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,引入两款在尺寸和导通电阻上设立了新的行业基准的P沟道30 V器件——Si8497DB和Si8487DB,扩充其MI-CRO FOOT TrenchFET GenⅢ功率MOSFET家族。新的Si8497DB是业内首款采用小巧的1mm×1.5 mm外形尺寸的30 V芯片级MOSFET,是目前市场上
Vishay Intertechnology, Inc. today announced the addition of two P-Channel 30 V devices, the Si8497DB and Si8487DB, which set new industry benchmarks in size and on-resistance, expanding the MI-CRO FOOT TrenchFET Gen III power MOSFET family. The new Si8497DB is the industry’s first 30-V chip-scale MOSFET in a compact 1mm × 1.5mm form factor and is currently on the market
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