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本文对大功率场效应晶体管VDMOS器件的导通电阻与单元结构的参数进行了研究,重点讨论了栅宽、外延层厚度和浓度与导通电阻的关系,计算出的I-V曲线随单元结构参数的不同有明显的改变,为实际研制工作提供了依据。
功率场效应晶体管VDMOS导通电阻的优化
【摘 要】
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本文对大功率场效应晶体管VDMOS器件的导通电阻与单元结构的参数进行了研究,重点讨论了栅宽、外延层厚度和浓度与导通电阻的关系,计算出的I-V曲线随单元结构参数的不同有明显
【机 构】
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华中理工大学,华中理工大学,华中理工大学 武汉 430074,武汉 430074,武汉 430074
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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1991年06期
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