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报道了利用高真空MOCVD外延生长γ氧化铝的技术和利用SOSCMOS的成熟工艺制作双异质外延Si／γ-Al2O3／Si单晶薄膜以及用其研制Si／γ-Al2O3／SiCMOS场效应晶体管、Si／γ-Al2O3／SiCMOS集成电路的初步结果．
双异质外延Si／Al2O3／Si薄膜制作的CMOS器件
【摘 要】
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报道了利用高真空MOCVD外延生长γ氧化铝的技术和利用SOSCMOS的成熟工艺制作双异质外延Si／γ-Al2O3／Si单晶薄膜以及用其研制Si／γ-Al2O3／SiCMOS场效应晶体管、Si／γ-Al2O3／SiCMOS集
【机 构】
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中国科学院半导体研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2004年7期
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