双极RF功率管的深阱结终端

• 作 者: 周蓉 胡思福 等
• 机 构: 电子科技大学微电子科学与工程系
• 出 处: 半导体学报
• 发表日期: 2003年4期
• 关键词: 双极RF功率管 深陆结终端 击穿电压 填充介质 bipolar RF power devices deeptrench junction termination

给出了双极RF功率管新的深陆结终端结构。模拟分析表明，具有优化宽度、优化深度且填充绝缘介质的深阱结终端结构能使雪崩击穿电压提高到理想值的95％以上。实验结果表明，深陆结终端结构器件DCT260的BVCBO为理想的94％，比传统终端结构器件高14％；与传统结构相比，在不减小散热面积的情况下，该结构还减小集电结面积和漏电流，器件的截止频率提高33％，功率增益提高1dB。