【摘 要】
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用缓慢升温法成功研制出非铁电性二元系压电新晶体Ａｌ_（０．８８）Ｇａ_（０．１２）ＰＯ_４．通过原子光谱吸收、Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ背散射及Ｘ射线粉末衍射测定其组分及结构．并给出了新晶体的电弹常数和温度系数．
A new nonvolatile bin
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用缓慢升温法成功研制出非铁电性二元系压电新晶体Ａｌ_（０．８８）Ｇａ_（０．１２）ＰＯ_４．通过原子光谱吸收、Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ背散射及Ｘ射线粉末衍射测定其组分及结构．并给出了新晶体的电弹常数和温度系数．
A new nonvolatile binary piezoelectric new crystal, Al_ (0.88) Ga_ (0.12) PO_4, has been successfully prepared by slow heating method. The composition and structure were determined by atomic absorption spectroscopy, Rutherford backscattering and X-ray powder diffraction. The electric elastic constant and temperature coefficient of new crystal are given.
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