磁过滤阴极真空弧法制备纳米nc-ZrCN/a-C:H(N)复合膜

• 作 者: 周奎 张旭 覃礼钊 廖斌 吴先映
• 机 构: 北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室,北京师范大学核科学与技术学院
• 出 处: 北京师范大学学报(自然科学版)
• 发表日期: 2008年5期
• 关键词: 磁过滤阴极真空弧法(FCVA) 纳米nc-ZrCN/a-C:H(N)复合膜 气体流量

采用磁过滤阴极真空弧法，以C2H2和N2混合气体为反应气体在单晶硅上沉积纳米neZrCN／a—C：H（N）复合膜，用X射线衍射（XRD）、扫描电镜的能谱仪（SEM—EDS）和X射线电子能谱（XPS）研究了薄膜的成分和结构．实验结果表明薄膜结构是由ZrCN品粒镶嵌在无定形碳和碳氮化合物基体中；膜中的化合键主要以Zr—C，C—C（sp^2）和C-C（sp^3）形式存在；随着混合气体流量的增加，薄膜的锆原子分数减小，而N和C的原子分数逐渐增大．