（AlxGa1—x）0.51In0.49P（x=0.29）PL谱的温度反常现象

• 作 者: 吕毅军 高玉琳
• 机 构: 厦门大学物理系
• 出 处: 发光学报
• 发表日期: 2000年2期
• 关键词: 半导体 温度反常现象 PL谱 Ⅲ-Ⅴ化合物
• 基金项目: 国家自然科学基金资助项目!（69776011）,,福建省自然科学基金,,红外物理国家重点实验室资助项目

对与ＧａＡｓ晶格匹配的四元合金（ＡｌｘＧａ１－ｘ）０．５１Ｉ０．４９Ｐ（ｘ＝０．２９）作了变曙和变激发功率密度的ＰＬ谱研究，发现了ＰＬ谱峰值位置不随激发功率密度的变化而移动，但是出现了随温度变化的反常行为。从１９Ｋ开始温，ＰＬ谱峰先向红端移动，到５５Ｋ左右开始出现蓝移，在８４Ｋ左右蓝移达到最大，而后随着温度的继续升高，ＰＬ谱峰再次工端移动。整个过程与温度呈Ｚ－型关系，而不是通常半导体样品所表现的线