MOCVD生长GaN：Si单晶膜的研究

• 作 者: 江风益 李述体
• 机 构: 南昌大学材料科学研究所
• 出 处: 发光学报
• 发表日期: 2000年2期
• 关键词: MOCVD 单晶膜 氮化镓 MOCVD GaN photoluminescence the double-crystal X-ray diffractio
• 基金项目: 国家863新材料领域!（715－001－0012）,国家自然科学基金!（69676019）,江西省跨世纪人才项目资助

获得高质量的ｎ型ＧａＮ基我电子器件的关键之一。采用立式ＭＯＣＶＤ系统生长ＧａＮ：Ｓｉ单晶膜，通过优化生长工艺，获得了电子载流子浓度高达２×１０＾１９ｃｍ＾－３，迁移率达１２０ｃｍ＾２／Ｖ·ｓ的ｎ型ＧａＮ：Ｓｉ单晶膜；并有效地抑制了ＧａＮ中由深能级引起的黄带发射，大大提高带边发光强度。研究结果否定有明：随着Ｓｉ掺杂量的增大，ＧａＮ：Ｓｉ单晶膜的电子载流子浓度增加，迁移率下降，Ｘ光双晶衍射峰半主宽增大