切换导航
文档转换
企业服务
Action
Another action
Something else here
Separated link
One more separated link
vip购买
不 限
期刊论文
硕博论文
会议论文
报 纸
英文论文
全文
主题
作者
摘要
关键词
搜索
您的位置
首页
期刊论文
GaP:NLED外延片微区光致发光和拉曼散射研究
GaP:NLED外延片微区光致发光和拉曼散射研究
来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zhengwei129
【摘 要】
:
在国内首次通过微区光致发光结合拉曼散射的方法研究了GaP:N五层结构的绿色发光外延片,用大破坏性的光学方法得到了载流子浓度的纵向分布,确定了发光最强的部位在P^-区而且不同
【作 者】
:
高瑛
刘和初
等
【机 构】
:
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,南昌746厂
【出 处】
:
发光学报
【发表日期】
:
2000年3期
【关键词】
:
微区光致发光
拉曼散射
磷化镓外延片
半导体
microscopical photoluminescence
Raman scattering
【基金项目】
:
国家重大“863”基金资助项目!( 863 -715 -Z3 4 -0 1)
下载到本地 , 更方便阅读
下载此文
赞助VIP
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
在国内首次通过微区光致发光结合拉曼散射的方法研究了GaP:N五层结构的绿色发光外延片,用大破坏性的光学方法得到了载流子浓度的纵向分布,确定了发光最强的部位在P^-区而且不同的样品有不同的光致发光强度随厚度的衰减曲线,以此为表征,从国内外样品的比较中查找出提高国产样品的改进方向。
其他文献
InGaN基发光二极管和激光二极管
在InGaN发光二极管中,尽管存在着大量的位错,但其效率还是相当高的.用InGaN作为有源层是很重要的.在InGaN基LED的情况下,为产生光发射需要较高的激发功率.横向大面积外延生长
期刊
INGAN
发光二极管
激光二极管
非共振激发条件下微腔中激子自发辐射的时间分辨光谱
低温下,测量了InGaAs量子阱平面微腔的时间分辨光谱。在非共振激发条件下,观察到上下两支腔极化激元光荧光的衰退时间与失谐无关;下支腔极化激元光荧光的上升时间也与失谐无关;而
期刊
自发辐射
半导体平面微腔
铟镓砷化合物
量子阱
时间分辨光谱
非共振激发
失谐值
耦合
荧光衰减
semiconductor planar microcavit
InN分凝的InGaN薄膜的光致发光与吸收谱(英文)
我们用低压MOCVD在蓝宝石衬底生长了InGaN/GaN外延层。用X射线衍射 (XRD) ,光致发光谱(PL) ,光吸收谱等测量手段 ,研究了InGaN的辐射发光机制。In组分利用Vegard定理和XRD测
期刊
INGAN
InN分凝
InN量子点
光致发光
InGaN
InN segregation
InNquatum dot
photoluminescence
掺杂Er^3+多组份氧化物玻璃的制备与发光特征的研究
用高温熔融法制备了用于1.5μm光波段元件高浓度Er3+掺杂的B2O3-SiO2,Al2O3-SiC2-CdO与Li2OAl2O3-SiO2三种多组分氧化物玻璃.在488nm连续氩离子激发下,测定并比较了这三种玻
期刊
ER^3+
氧化物玻璃
光谱性质
铒离子掺杂
制备
发光特征
Er3+ ion
oxide glass
spectroscopy
用CH3CSNH2钝化GaP表在特性的研究
借助扫描电子显微镜(SEM)、X光电子能谱仪(XPS)研究在不同处理条件下,GaP晶片表面硫化物钝化对其结构、形态以及表面形貌的影响。实验结果表明:经过CH3CSNH2溶液一定时间钝化处理后,GaP表面氧化物基本消失
期刊
硫代乙酰胺
表面性质
钝化
CH3CSNH2 solution
chemical passivation
GaP
surface properties
光谱曲线拟合程序的开发与运行的技巧
针对固体中杂质发光光谱的特殊问题,以FORTRAN77语言编写了多套曲线拟合程序,可分别适用于光滑型,散粒噪音叠加型及混合型光谱曲线的分解.并介绍了正确使用程序的技巧.对如何
期刊
发光光谱
曲线拟合
固体
杂质
FORIRAN77
程序开发
运行技巧
luminescence spectrum
curve fitting
掺钕钨酸钾钆晶体的光谱研究
本文采用助熔剂籽晶提拉法生长出了Nd:KWG激光晶体.化学组成和结构分析认为,所得的晶体是-KGd(WO4)2.通过红外光谱和喇曼光谱判断了它的振动归属,通过紫外可见吸收光谱的测定
期刊
掺钕
钨酸钾钆
激光晶体
TSSG
光谱
Nd:KWG
化学组成
结构分析
Nd: KWG
laser crystal
TSSG
spectra
氧,硼,磷掺杂对氢化非晶硅中饵1.54um发光的作用
利用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)技术生长氧、硼、磷掺杂的氢化非晶硅薄膜。在室温下注入饵离子后研究三种掺杂元素对饵离子发光的作用。室温下观察到很强的光致发光现象
期刊
饵
氧
硼
磷
发致发光
掺杂
氢化非晶硅
半导体
Er
O
B
P
luminescence
hydrogenated amorphous sili
MOCVD生长的GaN单晶膜的蓝带发光研究
对实验室用MOCVD方法生长的未掺杂GaN单晶膜的发光性能进行了研究。结果表明:在室温时未掺杂GaN单晶出现的能量为2.9eV左右蓝带发光与被偿度有较强的依赖关系。高补偿GaN的蓝带发射强,低补偿GaN的蓝带
期刊
MOCVD
光致发光
补偿度
氮化镓
单品膜
GaN
MOCVD
photoluminescence
compensation ratio
多色有机薄膜电致发光器件及其稳定性
研究了绿色、红色、蓝色和白色四种有机薄膜电致发光器件。通过掺杂得到了高稳定性的绿色及红色器件。绿色器件的半寿命达14000h(初始亮度100cd/m^2),红色器件的半寿命为7500h(
期刊
多色有机薄膜
电致发光器件
稳定性
掺杂
平板显示器件
分辨率
空穴锁定层
半寿命
organic emitting diode
multi colors
其他学术论文