InN分凝的InGaN薄膜的光致发光与吸收谱(英文)

• 作 者: 陈志忠 秦志新 杨志坚 童玉珍 丁晓民 张国义
• 机 构: 北京大学物理系,介观物理与人工微结构国家重点实验室,介观物理与人工微结构国家重点实验室
• 出 处: 发光学报
• 发表日期: 2001年S1期
• 关键词: INGAN InN分凝 InN量子点 光致发光 InGaN InN segregation InNquatum dot photoluminescence
• 基金项目: 国家自然科学基金资助项目 ( 6 9876 0 0 2 )~~

我们用低压MOCVD在蓝宝石衬底生长了InGaN/GaN外延层。用X射线衍射 (XRD) ,光致发光谱(PL) ,光吸收谱等测量手段 ,研究了InGaN的辐射发光机制。In组分利用Vegard定理和XRD测量得到。我们发现随着In组分的增加 ,在光吸收谱上发现吸收边的红移和较宽的Urbach带尾 ;PL谱中低能端的发射渐渐成为主导 ,并且在PL激发谱中InGaN峰也变宽。我们认为压电效应改变了InGaN的能带结构 ,从而影响了光学吸收特性。而在InN量子点中的辐射复合则是InGaN层发光的起源。