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第1 期国际集成电路发展三十周年………………二……··,…………·。,…··本刊主编 林金庭(豆)亚微米栅**S**T中FUk山公式修正………………………………………… 陈克金(5)优质量子阶的MBE生长和性能研究……孔梅影 孙殿照 梁基本 黄运衡 曾一平(12)半绝缘GaAs中EPR“A。。
The Thirtieth Anniversary of the Development of International Integrated Circuits .................. Two ...... ···· ............. , ... ·· Editor in chief Lin Jinting (beans) sub-micron grid ** S ** T in the FUk Hill formula correction .................................................. Chen Kejin (5) high quality quantum MBE Growth and performance studies ... Kong Meiying Sun Dianzhao Liang Basic Huang Yunheng Zeng Ping (12) EPR "semi-insulating GaAs.