【摘 要】
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将硅烷、氩、氨等作源,利用等离子气体强化化学蒸镀法在硅太阳电池上形式硅氮化物系防反对膜。 C.C.Johnson等人将硅太阳电池置于反应器的底电极上,于300℃加热,同时将10W、
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将硅烷、氩、氨等作源,利用等离子气体强化化学蒸镀法在硅太阳电池上形式硅氮化物系防反对膜。 C.C.Johnson等人将硅太阳电池置于反应器的底电极上,于300℃加热,同时将10W、13.56MH_(z)的电波送到该电极上,利用气体源制作显示特定折射率的膜。使氨的流速在570秒问经常变动,刚析
Silane, argon, ammonia and other sources for the use of plasma enhanced chemical vapor deposition of silicon solar cells in the form of anti-anti-silicon film. C. C. Johnson et al. Placed a silicon solar cell on the bottom electrode of the reactor, heated it at 300 ° C while sending a 10W, 13.56 MHz (z) radio wave to the electrode, and using a gas source to make a film showing a specific refractive index. The flow of ammonia in 570 seconds to ask frequent changes, just analysis
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