【摘 要】
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制造红外探测元件时,至少把碲镉汞的部分表面进行转型处理,以制得表面层,然后进行热处理。本发明对于在材料中形成能做平面型探测器的质量足够好的p-n结,有一个简单、可重复
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制造红外探测元件时,至少把碲镉汞的部分表面进行转型处理,以制得表面层,然后进行热处理。本发明对于在材料中形成能做平面型探测器的质量足够好的p-n结,有一个简单、可重复的工艺规程,以便容易形成探测器元件阵列和提供对探测器元件的接触。
In the manufacture of infrared detection elements, at least part of the surface of HgCdTe undergoes a conversion treatment to prepare a surface layer, followed by heat treatment. The present invention provides a simple, repeatable process protocol for forming p-n junctions of good enough quality in a planarized detector to facilitate formation of arrays of detector elements and to provide contact to the detector elements.
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