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实验研究了Al、Si样品的离子激发俄歇发射现象,测定了类原子信号强度和入射Ar~+离子能量的关系曲线。基于目前普遍接受的退激发观点,即类原子信号源自溅出的受激原子在体外退激发的过程。提出了一个类原子信号强度和入射离子能量的关系表达式,它和实验结果符合良好。在该表达式和实验数据的拟合中,可以求得Al和Si离子激发俄歇发射的阈值分别为350eV和790eV,和近期发表的结果符合良好。