同步辐射光电子能谱对ITO表面的研究

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:liu_kun
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首次利用同步辐射光电子能谱(SRPES)研究了铟锡氧化物(ITO)薄膜表面的化学状态.发现ITO表面的铟和锡分别具有多种价态.对比真空退火前后ITO样品的电阻率与透射率,结合对ITO导电机理的分析讨论,可以认为In2O3-x与Sn3O4的含量变化是影响ITO的导电与透光性能的主要原因 Synchrotron radiation photoelectron spectroscopy (SRPES) was used for the first time to study the chemical state of indium tin oxide (ITO) films. Indium and tin were found on the surface of ITO with a variety of valence states. Comparing the resistivity and transmittance of ITO samples before and after vacuum annealing, we can consider that the content of In2O3-x and Sn3O4 are the main factors that affect the conductivity and transmittance of ITO
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