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本文分析了目前器件参数优化所存在的问题。提出了采用填充函数方法实现对器件参数的全空间(全域)优化提取。该法能较好地满足不同非线性规划算法对初值的要求,并保证了目标函数的全域最优。本文还分析了影响参数优化唯一解的灵敏度因素,提出了对MOSFET器件参数优化的一些改进方法。
器件参数全域优化的填充函数方法
【摘 要】
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本文分析了目前器件参数优化所存在的问题。提出了采用填充函数方法实现对器件参数的全空间(全域)优化提取。该法能较好地满足不同非线性规划算法对初值的要求,并保证了目标
【机 构】
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西安电子科技大学微电子研究所,西安电子科技大学微电子研究所
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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1989年1期
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