InGaAs／GaAs HFET研制取得初步结果

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户：showfeeling

【摘要】

：

<正>众所周知,GaAs MESFET器件的微波特性主要由沟道中的电子饱和速度和栅长决定。由于InGaAs的电子饱和速度比GaAs的大,用InGaAs替代GaAs作沟道就可以改善器件的微波性能。

【作者】

：

彭正夫张允强

【机构】

：

南京电子器件研究所,南京电子器件研究所210016,210016,210016

【出处】

：

固体电子学研究与进展

【发表日期】

：

1992年4期

【关键词】

：

场效应器件 MESFET 研制

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<正>众所周知,GaAs MESFET器件的微波特性主要由沟道中的电子饱和速度和栅长决定。由于InGaAs的电子饱和速度比GaAs的大,用InGaAs替代GaAs作沟道就可以改善器件的微波性能。为此进行了InGaAs/GaAs HFET的研究。HFET的结构与n~+-AlGaAs/InGaAs/GaAs HEMT(PM-HEMT)结构比较有下述几个特点:①由于不含Al组分,就不存在所谓DX中心深能级的问题;②提供载流子的n-GaAs层的掺杂浓度比n~+-AlGaAs层的低,故器件的击穿电压高,

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