收集区制在半绝缘磷化铟衬底中的InGaAsP/InP异质结双极晶体管

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:qwedddessf
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本文提出并成功地试制了一种InP异质结双极型晶体管.其主要特点是利用在半绝缘InP衬底中注硅形成收集区,然后再进行液相外延形成基区和发射区.本结构能有效减少基区一收集区的结电容C_(BC)和寄生电容.避免了薄基区上制作基极欧姆接触时经常发生的基极-收集极之间的短路问题,提高了器件的可靠性结果表明,该器件具有较高的共发射极电流增益(h_(FE)=150~250),并能够双向工作.文章对该结构的优点进行了分析,给出了器件的工艺过程.
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