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对液封直拉（LEC）非掺磷化铟（InP）进行930℃80h的退火可重复制备直径为50和75mm的半绝缘（SI）衬底。退火是在密封的石英管内纯磷（PP）或磷化铁（IP）两种气氛下进行的。测试结果表明IP-SI InP衬底具有很好的电学性质和均匀性，而PP-SI的均匀性和电学参数都很差。在IP-SI样品的PL谱中出现与深缺陷有关的荧光峰。光激电流谱的测量结果表明：在IP气氛下退火获得的半绝缘磷化铟中的缺陷明显比PP-SI磷铟的要少。并对退火后磷化铟中形成缺陷的机理进行了探讨。