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运用自洽的蒙特卡罗方法模拟了肖特基接触的隧穿效应。模拟的内容包括具有不同的势垒高度的金属－半导体接触在正向和反向偏置下的工作状态，分析模拟结果可知，隧穿电流在反向偏置下主要的作用。同时还模拟了引入肖特基效应后，SBD的工作特性，验证了模拟使用的物理模型，得到了与理论计算值符合的模拟结果，分析模拟结果表明，由于肖特基效应形成的金属－半导体接触势垒的降低，会在很大程度上影响金属－半导体接触的输运特性。