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设计与制作了大功率808nm AlGaAs/GaAs宽波导激光二极管。器件的Al0.35Ga0.65As波导厚度提高到0．9μm,宽波导会引起高阶模的激射，为了抑制高阶模，Al0.55Ga0.45As限制层厚度降低到0．7μm，同时确保基横模的辐射损耗在0．2cm^-1以下。采用MOCVD进行材料生长，得到了高性能的器件，100μm条形激光二极管的最大输出达10．2W。