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描述了采用离子注入、低温慢降温热处理和背面磷吸杂等方法在高阻（111）N型硅片上研制高性能PIN光电二极管的工艺技术，测量并分析了光电二极管的I-V、C-V和光灵敏度等性能。有源区面积为16mm×17mm的二极管样品在全耗尽偏置电压（Vd=70V），环境温度为25℃时的暗电流和端电容典型值分别达到≤5nA和≤120pF。探测器在波长区域（380～500nm）的光谱响应典型值：400nm为0.26A/W,500nm为0.33A/W。量子效率在400～900nm光谱范围内达到70%～80%。对于紫外