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本文以CdSe基纳米材料为研究对象，系统地研究了CdSe基纳米材料的形貌可控生长及其演化过程，提出了CdSe复杂纳米结构生长的微观机制，为气相法VS机制可控生长的规律提供了有价值的实验依据。在此基础上，对CdSe纳米材料的物性进行了初步的探讨。主要创新性成果如下：
●复杂CdSe纳米结构的获得采用可控气相合成法，率先在国际上合成了四脚中空结构CdSe，比较系统地研究了四脚中空结构CdSe的谱学特征，发现了光吸收边的红移，在拉曼谱的研究中，发现了新的振动模式，并对上述现象进行了合理的解释。
●CdSe纳米结构的形貌控制生长及其演化规律采用气相法，通过控制反应温度、过饱和度和调整原材料成分，实现了CdSe纳米结构的形貌可控生长，系统地研究了过饱和度对形貌演化的影响，观察到CdSe纳米材料形貌由纳米线→纳米棒→纳米短棒→纳米颗粒→四脚纳米结构→中空四脚纳米结构转变的过程。试验设计通过Si控制CdSe和Se过饱和度的方法，用Cd和Si与Se反应的竞争机制，解释了四脚结构和四脚中空结构的形成过程，并建立热力学模型分析了Si的辅助作用。
● CdSe基复合物纳米结构的形貌控制生长及其演化规律本文系统地研究了简单纳米结构向复杂纳米结构转变的过程，发展了VS机制气相合成方法，采用蒸发-沉积两步法，成功制备了CdSe/SiO2同轴纳米电缆，系统地研究了CdSe/SiO2复合物由芯-壳结构纳米颗粒直接转变为同轴纳米电缆的生长过程，提出了一种新的转变模式。
●新奇、复杂CdSe基纳米异质纳米结构的组装发展了热蒸发-冷凝法，采用Sn为辅助剂实现了复杂形貌CdSe/SiO2异质纳米结构的组装，其结构特征为沿着[0002]方向生长的纤锌矿结构的CdSe纳米棒的端部嫁接非晶的SiO2空心半球。