【摘 要】
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该论文主要研究采用开口同轴探头测量介质材料的电磁参数的方法.作者首先用FDTD法为加载平面介质材料及凹面介质材料的开口同轴探头进行建模,并且对所建的开口同轴探头模型做
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该论文主要研究采用开口同轴探头测量介质材料的电磁参数的方法.作者首先用FDTD法为加载平面介质材料及凹面介质材料的开口同轴探头进行建模,并且对所建的开口同轴探头模型做了实验上验证.其次,发展了圆柱坐标系FDTD法的吸收边界条件公式.并且用计算机模拟的方法对所提出的公式作了验证,计算机模拟表明：所提出的吸收边界条件公式是正确的,并且是相当精确的.该文作者还提出用小法兰开口同轴探头（无外加法兰）测量微波集成电路基片的复介电常数,并用该探头测量了几种基片的复介电常数.由于采用FDTD法对该同轴探头理论建模,并且分析了同轴探头开口处的径向导波和被测材料与空气分界面附近的表面波,因此该测量方法对低损耗材料的测量是相当准确的.另外,还用FDTD法对方形法兰开口同轴探头进行建模,并对该模型进行了验证.用该模型计算的反射系数同实验测量的反射系数进行比较,结果表明：该模型是合理的.作者还研究了用小法兰同轴探头测量吸波材料的电磁参数.
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