【摘 要】
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近年来,非致冷红外探测焦平面阵列技术(UFPA)有了长足的发展,第三代"灵巧"型焦平面阵列正在研制中.目前的发展趋势是将铁电薄膜直接沉积在Si基片上,制成单片式UFPA探测器件,
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近年来,非致冷红外探测焦平面阵列技术(UFPA)有了长足的发展,第三代"灵巧"型焦平面阵列正在研制中.目前的发展趋势是将铁电薄膜直接沉积在Si基片上,制成单片式UFPA探测器件,这对开发新型优良性能的铁电材料提出了迫切的要求.由于(Pb<,1-x>Sr<,x>)TiO<,3>(简称PST)系铁电材料是一种互溶性较好的钙钛矿材料,其居里点温度T<,c>可较容易地调制至室温附近,热释电系数、介电温度系数较大,同时,其铁电临界尺寸较小,晶化温度较低,制备工艺与Si微电子工艺兼容,能够满足高性能的Si基集成UFPA的需要.该文着重对PST系铁电材料进行了研究.另外,考虑到Si基集成UFPA的特点,该文还对开发具有新型探测原理与结构的红外探测系统进行了探索.
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