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该文就采用CVD技术生长的GeSi合金和GaN半导体材料生长及其器件特性等方面的一些问题作了研究.
GeSi合金体系及GaN材料与器件研究
【摘 要】
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该文就采用CVD技术生长的GeSi合金和GaN半导体材料生长及其器件特性等方面的一些问题作了研究.
【机 构】
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南京大学
【出 处】
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南京大学
【发表日期】
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1999年期
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