【摘 要】
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论文以微电子器件中重要的基础材料Si为研究对象,围绕SIMS定量分析展开了应用和基础研究.首先,结合SIMS前沿应用领域的发展简要综述了二次离子质谱学所面临的挑战及其最新进
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论文以微电子器件中重要的基础材料Si为研究对象,围绕SIMS定量分析展开了应用和基础研究.首先,结合SIMS前沿应用领域的发展简要综述了二次离子质谱学所面临的挑战及其最新进展,重点介绍了其在微电子领域的应用.然后详细讨论了SIMS定量分析中的一些基本问题.对SIMS中一些容易混淆的术语进行了评述,澄清了概念.由于基体效应的影响,目前SIMS主要的定量方法是采用实验校准相对灵敏度因子法,但是目前SIMS定量分析中相对灵敏度因子的使用仍较混乱.针对这种情况,文中详细推导了SIMS基本关系式,讨论了相对灵敏度因子的两种常见形式,明确了它们各自的物理意义.这对于规范SIMS定量分析的程序有重要意义.以硅中硼的SIMS定量分析为主,详细讨论了表面氧化和玷污、同位素丰度比及参考离子的选择等影响定量分析的因素.
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