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硅碳氮(SiCN)薄膜作为一种新型的宽带隙半导体材料,因其优异的物理和化学特性,使它成为当前材料科学领域的研究热点之一。研究表明,它具有较高的硬度及优良的抗氧化、抗腐蚀、耐磨损、热的稳定性和良好的发光特性等。因此,对SiCN的研究具有重要的应用价值。本文选用简单易行的低成本的热丝化学气相沉积(HFCVD)系统在Si衬底上合成SiCN薄膜。系统摸索了制备工艺(衬底温度,N_2、CH_4和H_2流量,反应室压强)对成膜质量的影响,采用FT-IR、SEM、XPS来研究在不同工艺条件下薄膜的结构