高动态CMOS图像传感器的研究与设计

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CMOS图像传感器是集光电探测器,模拟电路和数字电路为一体的功能完善的超大模拟混合集成电路,其中最主要的两个部分是像素部分和模拟电路部分。  本论文的重点是设计一款高动态的CMOS图像传感器,同时针对CMOS图像传感器理论进行了深入研究。该研究对CMOS图像传感器芯片有着重要的理论意义和工程实用价值。动态范围是图像传感器成像的重要指标,较大的动态范围可以探测到更宽光强范围内的场景信息。探测到的图像细节更丰富。为了提高CMOS图像传感器的动态范围。首先其像素部分要满足高动态范围的要求,其次像素后一级的模拟转换(ADC)的信号比也要满足高动态范围的要求。本论文的像素部分是采用势研容量调节技术来实现高动态,ADC采用的是流水线ADC。  主要研究工作如下:  1.分析了像素的基本理论。包括光电探测器的基本原理。暗电流,噪声。3管像素和4管像素的基本原理,同时分析了ADC的基本原理。  2.对药物容量调节实现高动态技术进行了详细的研究,并根据像素对应的提标设计了一款10bit,10MSPS的流水线ADC,ADC中包含运算放大器。动态缓存比较器,采样电路和MDAC模块电路。  3.对CMOS图像传感器的动态范围进行了仿真。同时对ADC的静态性能和动态性能也进行了仿真研究。  本文的设计部分采用的是UMC0.11um CMOS工艺,并运用spectre和MATLAB工具进行了仿真。仿真结果表明:动态范围为66.3dB,DNL为-0.29-0.298LSB,INL为-0.29-0.24LSB,SFDR为65.18dB,SNDR为60.012dB,ENOB为9.676bit。该结果满足了高动态CMOS图像传感器的设计指标。
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