【摘 要】
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该文研究了影响脉冲激光沉积硅基PtSi系薄膜材料Schottky势垒高度的各种因素.从薄膜材料设计和制备技术两方面探讨了降低Schottky势垒高度的可能途径.采用X射线光电子谱分析
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该文研究了影响脉冲激光沉积硅基PtSi系薄膜材料Schottky势垒高度的各种因素.从薄膜材料设计和制备技术两方面探讨了降低Schottky势垒高度的可能途径.采用X射线光电子谱分析、X射线衍射分析、俄歇能谱分析、红外光谱分析,以及原子力显微镜、高分辨电子显微镜分析和I-V性能测试,研究了用脉冲激光沉积、分子束外延方法制备的PtSi/Ge<,x>Si<,1-x>/p-Si(x=0,0.2,0.25)、PtSi/p<+>/p-Si、IrSi/Si和Pt-IrSi/Si不同异质结薄膜的制备工艺,分析了薄膜制备工艺条件对薄膜的微观结构和光电性能的影响,揭示了界面结构对光电性能的影响规律及微观机制.
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