【摘 要】
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该文讨论了SITH的势垒控制机制,指出栅极对势垒的控制作用比阳极高一个数量级,分析了器件的结构参数与电参数之间的关系,并进行了埋栅结构的SITH的版图设计.提出了外延层必须
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该文讨论了SITH的势垒控制机制,指出栅极对势垒的控制作用比阳极高一个数量级,分析了器件的结构参数与电参数之间的关系,并进行了埋栅结构的SITH的版图设计.提出了外延层必须达到的工艺参数,对外延自掺杂的原因进行了深入的分析,提出了埋栅SITH制造的关键技术-高阻反型外延的质量控制方法即二外染磷工艺,分析了其可行性,给出了试验结果,并探讨了进一步试验的可行性措施.对复合结构的SITH进行了试验研究,指出染磷层及栅硼的长时间扩散有利于复合结构栅阴极击穿电压的提高.
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