【摘 要】
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该文研究在Si(100)衬底上外延生长CoSi薄膜异质固相外延新技术.通过Co/Ti/Si及Co/a-Si/Ti/Si等多层薄膜固相反应,研究了硅化钴/硅的异质固相外延过程及机制、动力学、结构及
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该文研究在Si(100)衬底上外延生长CoSi<,2>薄膜异质固相外延新技术.通过Co/Ti/Si及Co/a-Si/Ti/Si等多层薄膜固相反应,研究了硅化钴/硅的异质固相外延过程及机制、动力学、结构及电学特性等.主要取得了以下结果:研究了Co/a-Si/Ti/Si多层薄膜固相反应过程及外延机制.研究了Co/Ti/Si及Co/a-Si/Ti/Si多层薄膜固相反应动力学.研究了Co/Ni/Ti/Si多层薄膜固相反应.研究了Co/Ti及Co/a-Si/Ti在硅衬底上固相反应形成的超薄CoSi<,2>薄膜(10~15nm)的结构特性及热稳定性.研究了超薄CoSi<,2>/-Si的肖特基势垒接触特性,用垒高度高斯分布模型解释了接触特性随温度的变化.研究了在固相外延CoSi<,2>/Si(100)上用MBE方法生长Si形成的Si/CoSi<,2>/Si(100)异质结构的制备工艺及结构特性.
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