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随着现代通信技术的快速发展，信号传输速率不断提高，导致信号峰均比越来越高，使得通信基站的功率放大器大部分时间都工作在功率回退区，效率很低，这给通信基站工作带来严峻的考验。射频(RF, Radio Frequency)横向双扩散晶体管(LDMOS，Lateral Double Diffused Metal Oxide Semiconductor)作为通信基站功率放大器的核心器件，其性能好坏直接影响着整个基站模块的工作性能和信号的最终输出性能。包络跟踪(ET, Envelope Tracking)技术通过动态调制电源电压供应，极大地改善了功率放大器在功率回退区的效率，成为未来通信基站发射机功放架构研究的热点。ET系统设计的难点是包络放大器和功率放大器的设计，本文针对兼容CMOS(互补金属氧化物半导体，Complementary Metal Oxide Semiconductor)工艺的LDMOS工艺，尝试采用优化的LDMOS作为开关管设计包络放大器，优化的RF LDMOS作为功放管设计功率放大器，围绕ET功放系统设计展开研究，测试基于LDMOS的ET系统的性能。论文的主要创新成果如下: 1.基于LDMOS设计了开关管，开关速度5MHz以上。 2.基于RF LDMOS匹配设计了一功率放大器，测得2.11GHz下饱和输出功率40dBm，漏极效率58.6％，线性增益24.1dB。 3.综上设计了ET功放系统，并进行了测试比较。采用ET后，在连续波信号激励下测得功率放大器在输出功率回退8dB时的效率由恒定电压下的25％提高到42.5％，在8dB峰均比WCDMA信号激励下测得系统平均效率由恒定电压下的22.17％提高到39.3％。