【摘 要】
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该论文的主要内容是研制一种新型垂直沟道的NPN型偶载场效应晶体管(VDCFET)及其片上系统(SOC),报道了器件的设计思想和特性.该论文首先从集成电路发展的角度介绍了研究垂直沟
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该论文的主要内容是研制一种新型垂直沟道的NPN型偶载场效应晶体管(VDCFET)及其片上系统(SOC),报道了器件的设计思想和特性.该论文首先从集成电路发展的角度介绍了研究垂直沟道的偶载场效应晶体管(VDCFET)的目的和意义.接着报道了器件原理,从纵向和横向报道了器件的设计思想,指出该器件是现有器件的进一步发展,利用双极晶体管的纵向结构制作成场效应器件,避免了MOS晶体管需要生长栅氧化层,且栅氧化层不易做薄的缺点,制作工艺简单.重点研究了热氧化二氧化硅膜、离子注入退火条件的选择及欧姆接触等器件制作工艺.得出了二氧化硅膜厚度与氧化时间的关系,离子注入的最佳退火条件是900℃,15s,欧姆接触的最佳条件是390℃,15s白光快速退火.在成功研制出器件的基础上,测量了器件的直流特性和由器件组成的简单电路反相器、或非门电路和双稳态电路的特性.还用普通晶体管搭成D触发器电路,并测量了电路的特性.最后讨论了垂直沟道的偶载场效应晶体管(VDCFET)的优点及其在电路中的应用.
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