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本文主要研究内容是TD-SCMDA移动终端中射频发射芯片的正交调制器的设计。近些年来，基于TD-SCDMA标准的移动通信系统相关技术的研究成为业界关注的焦点；其中，其移动终端核心芯片的研究更是得到了各个方面的重视。作为其射频芯片组中的一个重要的模块，正交调制器在直接转换射频发射芯片中同时完成移动终端基带信号的调制和上变频功能，其性能的优劣对移动终端的发射芯片的性能起着决定性的作用。为此，作者采用Jazz公司的0.35um的锗硅BiCMOS工艺，进行了有关设计，得到了一个符合TD-SCDMA标准的移动终端射频发射芯片的正交调制器设计结果，有关仿真结果证实了电路设计的有效性，版图设计通过了设计规则验证。
作为对相关工作的介绍，本文首先对作者在熟悉TD-SCDMA技术特点、该标准下移动终端的射频发射芯片结构，以及正交调制器和混频器的基本原理等方面的过程中的体会进行了概述；并基于吉尔伯特混频器结构定义了混频器的相关性能指标。其次，从考察射频发射芯片结构入手，分析了正交调制器的性能指标及其相应的工艺的选择；并基于这些分析对混频器进行了设计与进一步的优化。这些优化针对移动终端射频发射芯片的特点，主要集中在功耗、偏置、本振幅度、增益、线性度、噪声以及阻抗匹配等方面。在此基础上，给出了基于这些优化结果的一种混频器设计电路图以及相应的仿真结果。更进一步，基于上述混频器的设计，给出了正交调制器的设计电路图及输出频谱、隔离度、功耗、线性特性、温度特性、器件快慢模型、邻道泄漏功率比等性能指标的仿真结果，并给出了正交调制器的版图设计要点与相应的版图。最后，对相关工作进行了总结。