论文部分内容阅读
新型半导体材料GaN具有很好的电学特性，基于其上的A1GaN/GaN异质结HEMT器件是1-50GHz频率范围内理想的微波功率器件。肖特基栅是HEMT器件的关键因素之一，国内对其研究很少。在这种背景下，本文对AIGaN/GaN异质结器件的肖特基接触作了详细的研究。
本文详细研究了金属一半导体肖特基接触的理论，为实验的进行和结果的分析打下基础。
研究了不同表面清洗方法对肖特基接触特性的影响。用不同浓度的溶液对A1GaN/GaN表面进行清洗，得出实验结果最好的表面清洗方法，并详细分析其原因。
研究表面清洗后的A1GaN/GaN肖特基接触在N2氛围中进行不同温度和时间的快速热退火。得出最好的退火时间和温度并分析其原因。
最后，研究了HEMT器件在快速热退火后的性能。与退火前相比，退火后HEMT器件栅漏电流密度平均下降两个数量级，最大的下降了三个数量级，输出电流略有下降，但是跨导没有任何退化。