GaInAsSb合金材料的MOCVD生长和材料研究

来源 :中国科学院长春物理研究所 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 被引量 : 0次 | 上传用户:tomjack110
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1、简单对MOCVD技术在金属有机源、ZnSe和GaN材料的掺杂、选择外延生长、新的生长方法和设备的完善和发展等方面做了回顾;2、简单叙述了MOCVD技术在808nm无铝激光器、为泵辅铒光纤放大器的980nm激光二极管、ZnSe材料蓝绿激光器、InGaA1N材料体系器件、用于光存储和打印的二极管激光器、面发射半导体激光器、红外探测器和中红外半导体激光器等器件方面的进展.
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