【摘 要】
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该文从体内微缺陷和表面洁净区的形成及其形成机理、影响微缺陷形成的因素、氢杂质对体内微缺陷的成核的影响、微缺陷对材料性能的影响及退火制度对电阻率均匀性的影响等方面
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该文从体内微缺陷和表面洁净区的形成及其形成机理、影响微缺陷形成的因素、氢杂质对体内微缺陷的成核的影响、微缺陷对材料性能的影响及退火制度对电阻率均匀性的影响等方面对中子辐照区熔(氢)硅的退火特性进行了系统的研究.中子辐照区熔(氢)硅片经退火后会在硅片表面形成洁净区,而内部形成体内微缺陷.借助实验现象对表面洁净区和体内微缺陷的形成机理进行了解释.退火制度(第一步退火温度、退火时间、一步退火温度)及腐蚀时间等因素对体内微缺陷的形成及微缺陷的粒度会产生较大的影响.合理控制硅片的粗糙度及厚度、合理控制退火制度可得到三种类型的硅片,即无体内微缺陷的硅片、有表面洁净区及体内微缺陷的内吸除硅片和完全为体内微缺陷的硅片.退火制度对硅片电阻率不均匀度将产生较大的影响,中低温退火大于三小时后再高温退火,将导致硅片的电阻率变的很不均匀.另外,还探讨了便捷快速的化学抛光和机械抛光方法.
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