钼酸钆晶体生长及性能测试

来源 :中国科学院福建物质结构研究所 | 被引量 : 0次 | 上传用户:czjjay
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该文论叙了钼酸钆晶体的生长、结构表征、光谱和非线性光学性能研究.在晶体生长方面研究人员讨论了用三种不同的生长方法即熔盐法、熔盐提拉法、中频感应提拉法对钼酸钆晶体进行的生长.研究人员认为钼酸钆晶体生长中控制三氧化钼的发挥最为重要.采用中频感应提拉法沿方向生长出高质量的掺钕钼酸钆晶体,晶体大小为φ42×30mm.钼酸钆晶体容易解理,解理面为[001]、[110]面.包裹体的引进是由于三氧化钼的挥发导致熔体组分偏离.相变和包裹是导致晶体开裂的主要原因.掺钕钼酸钆晶体有初始钕离子浓度为3at﹪的 条件下,分凝系数k<,0>>1.研究人员发现了钼酸钆的一个新相,P421相.通过测定不同钕离子浓度正交相粉末样品的荧光谱和荧光寿命,讨论了浓度猝灭现象.
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