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异种金属的真空扩散连接在工业上具有重要的应用,界面扩散层对连接接头性能有着重要的影响。本文采用铆钉法制备了Al/Cu/Mg三元扩散偶,在真空炉进行扩散反应,使用光学显微镜和扫描电子显微镜,结合电子探针微区成分分析的方法,研究了该扩散偶中两元和三元相界面处扩散反应层的特征,探讨影响扩散层形成、长大的因素及扩散层的形成机制。研究结果表明,烧结温度是最重要的影响因素,烧结温度不同,组成扩散层的相层种类不同。烧结温度为350-550℃时,Al/Cu界面处生成的扩散层由CuAl、CuAl2和Cu4Al3三个相层组成;烧结温度为600℃时,生成的扩散层由CuAl、CuAl2、Cu4Al3和Cu5Al3四个相层组成。扩散偶经过450℃的热处理后,Al/Cu/Mg三元交接区域中存在Al6CuMg4,Al7Cu3Mg6,Al2CuMg,Al5Cu6Mg2,Cu5Al3五种化合物新相。热处理温度为500℃时,Al/Cu/Mg三元交接区域中存在Al2CuMg,Al7Cu3Mg6和Cu9Al4三种金属间化合物新相。热处理温度不同,扩散偶中Al/Cu/Mg三元交接区域的扩散反应层中新相的排列顺序不同,扩散反应层的生成机理也不同。实验证明应力为低温烧结时扩散的重要的驱动力。Mg/Al界面过渡区的形成主要经过四个阶段,其物相的形成顺序依次为:MgAl→Mg3Al2→Mg2Al3。组元在液-固转变时和在固态扩散反应过程生成金属间化合物的机理不同,生成金属间化合物的种类也不同。