论文部分内容阅读
作为宽能隙直接能带结构的半导体材料,AlN,GaN,InN等Ⅲ族氮化物由于高效率可见光和紫外光发射以及光响应特性而在全色光器件方面具有良好的应用前景。其中,AlN还具有高热导、高硬度以及良好的介电性质、声学性质和化学稳定性,可望在短波光发射和光探测、表面声学、压电器件等光电子和微电子器件方面得到广泛应用。本文采用中频反应磁控溅射方法在Si(111)上生长AlN薄膜,主要考察了衬底温度和退火温度对薄膜结构性能等的影响,利用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)等分析方法对薄膜的表面形貌、组织结构